时间：2025/7/10 2:07:42
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BT4730D是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该器件采用TO-252封装形式，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合于高效率开关电源和负载开关等应用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：12A
导通电阻：50mΩ
总功耗：1.2W
工作温度范围：-55℃至150℃
BT4730D具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，在较低的电压降下实现更高的效率。
2. 快速开关速度，减少开关损耗，提高整体性能。
3. 高雪崩能量能力，增强器件在异常条件下的耐用性。
4. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
5. 小型化封装设计，节省PCB空间，同时提供良好的散热性能。
BT4730D适用于多种电子设备和系统中的功率控制功能，具体包括：
1. 开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。
2. 各类负载开关和保护电路。
3. 电池管理系统中的充放电控制。
4. 电机驱动及小型家电控制电路。
5. 照明设备如LED驱动和镇流器电路。
IRF540N, FQP18N06L, STP12NF06
