BT25N120ANN 时间：2025/8/1 20:15:01 阅读：26

BT25N120ANN 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高电压、高电流功率晶体管，属于N沟道MOSFET类型。该器件适用于需要高效能、高可靠性的工业和消费类应用，如电源供应器、电机控制、开关电源（SMPS）以及逆变器等。BT25N120ANN 具有高击穿电压和大电流承载能力，能够应对高压高功率环境下的工作需求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：1200V
　　最大漏极电流（Id）：25A
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为 0.45Ω
　　功率耗散（Ptot）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

特性

BT25N120ANN 的主要特性之一是其高达1200V的漏源击穿电压（Vds），使其能够在高电压环境下稳定工作，例如在高压电源转换系统中。此外，该MOSFET的最大漏极电流可达25A，能够处理较大的负载电流，适用于高功率应用。其导通电阻（Rds(on)）仅为0.45Ω，这有助于降低导通损耗，提高能效。该器件还具备良好的热稳定性，最大功率耗散为200W，并采用TO-247封装，便于散热设计和安装。栅源电压范围为±30V，使得该器件在驱动电路设计中具有较高的灵活性。
　　另外，BT25N120ANN 的封装设计支持快速安装到散热片上，以提高散热效率，从而延长器件寿命并增强系统稳定性。其内部结构优化了电场分布，减少了开关损耗和电磁干扰（EMI），有助于提升整体系统性能。这些特性使得该器件在高电压、高功率的工业应用中表现优异。

应用

BT25N120ANN 广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、高压直流电源、电机驱动、逆变器、照明系统（如高压气体放电灯）以及工业自动化设备。由于其高耐压和大电流特性，它也常用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及电动汽车充电设备等高功率系统中。在这些应用中，BT25N120ANN 能够提供高效、稳定的功率转换和控制，满足复杂电路对高性能功率器件的需求。