类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5.3A
　　导通电阻（Rds(on)）：23mΩ @ Vgs=10V, 45mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SOT23-6 / DFN3x3

BT2307具有低导通电阻，使其在高电流应用中能够有效降低功耗，提高系统效率。该器件在Vgs=10V时的Rds(on)典型值为23mΩ，而在较低的Vgs=4.5V时也能保持45mΩ的低阻状态，适用于由低压控制器驱动的场合，如同步整流、电池供电系统和负载开关。
　　此外，BT2307具备良好的热稳定性与电流承载能力，最大连续漏极电流可达5.3A，适合用于中高功率的DC-DC转换器、电机驱动电路和电源管理系统。其高耐压特性（Vds=30V）使其在工业控制、通信设备和消费类电子产品中均有广泛的应用。
　　该MOSFET采用了高可靠性制造工艺，具备优良的抗冲击能力和长期稳定性，能够在高温环境下稳定工作。同时，其小型封装设计（如SOT23-6或DFN3x3）有助于减少PCB空间占用，满足现代电子产品轻薄化、高集成度的设计需求。

BT2307主要应用于各类电源管理系统中，如同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电机驱动器、电池保护电路以及LED驱动模块。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件在便携式电子设备（如笔记本电脑、平板电脑、智能手机）中的电源管理单元中也得到了广泛应用。
　　在工业自动化领域，BT2307可用于控制继电器、传感器供电、PLC模块中的电源开关等场景。同时，其良好的热稳定性和抗冲击能力也使其适合在汽车电子系统中作为负载开关使用，例如车灯控制、车载充电器和电池管理系统等。
　　另外，在通信设备中，BT2307可作为电源转换模块中的关键元件，用于提升系统效率和稳定性，特别是在对空间和功耗有严格要求的基站电源模块、路由器和交换机等设备中。

Si2302DS, AO3400, IRF7409, FDS6680, BSC016N04LS