BT169GW 是一种高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效开关特性的电路中。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率并降低能耗。
BT169GW 的设计使其在高频工作条件下依然保持出色的性能,同时其封装形式也支持高效的散热管理,适用于对功率密度和热性能要求较高的场景。
最大漏源电压:60V
最大栅极源极电压:±20V
连续漏极电流:30A
导通电阻:4mΩ
总功耗:180W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
BT169GW 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在大电流应用中减少传导损耗。
2. 快速开关特性,有助于降低开关损耗,提升系统效率。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 热稳定性良好,能够在高温环境下长期运行。
5. 支持多种保护功能的集成设计,如过流保护和短路保护。
6. 封装形式适合高效的散热管理,满足高功率密度应用需求。
BT169GW 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流管或高频开关管。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 新能源领域,如太阳能逆变器和电动车充电装置中的功率转换部分。
6. 各类需要高效功率开关的消费类电子产品,例如笔记本适配器和LED驱动电源。
IRF840, BUZ11, FDP55N06L