BT169GW 时间：2025/5/28 16:08:26 阅读：70

BT169GW 是一种高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效开关特性的电路中。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率并降低能耗。
　　BT169GW 的设计使其在高频工作条件下依然保持出色的性能，同时其封装形式也支持高效的散热管理，适用于对功率密度和热性能要求较高的场景。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅极源极电压：±20V
　　连续漏极电流：30A
　　导通电阻：4mΩ
　　总功耗：180W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-247

特性

BT169GW 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在大电流应用中减少传导损耗。
　　2. 快速开关特性，有助于降低开关损耗，提升系统效率。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
　　4. 热稳定性良好，能够在高温环境下长期运行。
　　5. 支持多种保护功能的集成设计，如过流保护和短路保护。
　　6. 封装形式适合高效的散热管理，满足高功率密度应用需求。

应用

BT169GW 主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
　　2. DC-DC转换器中的同步整流管或高频开关管。
　　3. 电机驱动电路中的功率级开关。
　　4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　5. 新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电装置中的功率转换部分。
　　6. 各类需要高效功率开关的消费类电子产品，例如笔记本适配器和LED驱动电源。