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BT169GW 发布时间 时间:2025/5/28 16:08:26 查看 阅读:9

BT169GW 是一种高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效开关特性的电路中。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率并降低能耗。
  BT169GW 的设计使其在高频工作条件下依然保持出色的性能,同时其封装形式也支持高效的散热管理,适用于对功率密度和热性能要求较高的场景。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅极源极电压:±20V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:4mΩ
  总功耗:180W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

BT169GW 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在大电流应用中减少传导损耗。
  2. 快速开关特性,有助于降低开关损耗,提升系统效率。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的可靠性。
  4. 热稳定性良好,能够在高温环境下长期运行。
  5. 支持多种保护功能的集成设计,如过流保护和短路保护。
  6. 封装形式适合高效的散热管理,满足高功率密度应用需求。

应用

BT169GW 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器中的同步整流管或高频开关管。
  3. 电机驱动电路中的功率级开关。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 新能源领域,如太阳能逆变器和电动车充电装置中的功率转换部分。
  6. 各类需要高效功率开关的消费类电子产品,例如笔记本适配器和LED驱动电源。

替代型号

IRF840, BUZ11, FDP55N06L

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