时间：2025/5/7 15:50:56
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BSZ105N04NS G是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 Vishay 公司的 SiZF 系列。该器件采用 SuperSOT-23 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种便携式设备中的高效开关应用。
由于其小尺寸封装和出色的电气性能，这款 MOSFET 常被用于电源管理电路、负载开关、DC-DC 转换器以及其他需要紧凑型设计的应用场景中。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：1.8A
导通电阻（Rds(on)）：0.65Ω
栅极电荷：3.7nC
总功耗：360mW
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装类型：SuperSOT-23
BSZ105N04NS G 的主要特性包括：
1. 高效开关性能：得益于低导通电阻（Rds(on)），该器件在开关应用中能够显著降低传导损耗，从而提升整体效率。
2. 快速开关速度：较低的栅极电荷使其具备快速的开关能力，非常适合高频开关电路。
3. 小型化设计：SuperSOT-23 封装不仅节省了 PCB 空间，还增强了散热性能。
4. 可靠性高：通过严格的筛选和测试流程，确保器件在各种恶劣环境下的稳定运行。
5. 宽工作温度范围：支持从 -55℃ 到 +150℃ 的结温区间，适应多种应用场景。
该型号的典型应用领域包括：
1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
2. 电池供电系统的电源管理。
3. DC-DC 转换器和同步整流电路。
4. 各类保护电路，如过流保护和短路保护。
5. 消费类电子产品中的小型化电源解决方案。
Si2303DS, BSS123
