时间：2025/12/23 22:51:58
阅读：19
BSZ100N06LS3G是一款N沟道功率MOSFET，采用超薄型SOT23-3封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于多种高效能开关应用。它主要设计用于便携式设备、消费类电子以及通信产品的电源管理中，能够提供出色的效率与性能。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：2.9A
导通电阻（Rds(on)）：150mΩ
栅极电荷：1.8nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：SOT23-3
BSZ100N06LS3G采用了先进的制造工艺，使其具备非常低的导通电阻，从而减少了功率损耗并提高了转换效率。此外，它的高开关速度可以支持高频操作，这在现代电力电子应用中是非常重要的。其小型化的SOT23-3封装非常适合空间受限的设计场景，同时还能保证良好的散热性能。
该器件还具有优异的静电放电（ESD）保护能力，增强了产品在实际应用中的可靠性。整体上，这款MOSFET以其卓越的电气特性和紧凑的外形成为众多便携式及高效能应用的理想选择。
该功率MOSFET广泛应用于DC/DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理模块以及各种消费类电子产品的电源管理系统中。特别是在手机充电器、平板电脑适配器和其他便携式设备领域，BSZ100N06LS3G因其小尺寸和高效能而备受青睐。
此外，它也可用作信号切换元件或保护电路中的关键组件，例如在过流保护和短路保护方面发挥重要作用。
BSS138, BSZ110N06LS3G
