时间：2025/5/27 13:39:22
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BSZ096N10LS5ATMA1 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 Infineon 的 CoolMOS 系列。该系列以其高效率、低导通电阻和快速开关性能著称，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域。BSZ096N10LS5ATMA1 特别适用于高频应用场合，能够有效降低功耗并提升系统效率。
其采用 DPAK 封装形式，具有良好的散热性能，同时具备较低的栅极电荷和输出电容，从而优化了动态性能。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：9.1A
导通电阻：8.7mΩ
栅极电荷：23nC
总电容：470pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
BSZ096N10LS5ATMA1 提供了极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，特别是在高电流应用场景中。此外，该器件的栅极电荷较小，可实现更快的开关速度，并降低开关损耗。它的封装设计确保了良好的热性能，适合长时间稳定运行。
该 MOSFET 还具备优异的雪崩能力，能够在过载或异常条件下保护电路。由于采用了先进的制造工艺，其动态性能得到进一步优化，非常适合硬开关和软开关拓扑结构。
此外，该器件通过 AEC-Q101 认证，表明其可靠性满足汽车级应用要求。
BSZ096N10LS5ATMA1 可用于多种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 逆变器
4. 电机驱动
5. 汽车电子系统
6. 工业自动化设备
7. LED 驱动器
在这些应用中，它凭借低导通电阻和高效能表现，成为高性能电源管理的理想选择。
BSZ096N10LS_G_ATMA1, IPD096N10S5_L04
