时间：2025/5/23 17:13:12
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BSZ070N08LS5 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 Infineon Technologies 生产。该器件采用先进的 TRENCHSTOP? 技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种功率转换应用。它主要针对开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用设计。
该 MOSFET 的封装形式为 SuperSO8（DDPAK），具备卓越的散热性能和紧凑的设计，适合高密度电路板布局。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：7A
导通电阻（典型值）：7mΩ
栅极电荷（典型值）：14nC
输入电容（典型值）：1020pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SuperSO8（DDPAK）
BSZ070N08LS5 提供了非常低的导通电阻 Rds(on)，从而显著降低了传导损耗并提高了系统的整体效率。其栅极电荷较低，有助于实现快速开关，进而减少开关损耗。
该器件还具有优异的热稳定性和鲁棒性，在高频率和高功率的应用场景下表现出色。此外，SuperSO8 封装不仅体积小巧，而且支持高效的表面贴装工艺，简化了生产和组装过程。
由于采用了 TRENCHSTOP? 技术，BSZ070N08LS5 在动态性能和静态性能之间取得了良好的平衡，能够满足现代电力电子系统对高性能和高可靠性的要求。
BSZ070N08LS5 广泛应用于多种功率转换领域，包括但不限于以下场景：
- 开关模式电源 (SMPS)
- 降压和升压 DC-DC 转换器
- ORing 配置中的理想二极管
- 工业设备中的电机控制
- 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关
- 通信基础设施中的高效功率分配
凭借其出色的电气特性和紧凑的封装，这款 MOSFET 成为众多功率管理解决方案的理想选择。
BSC070N08LS5
BSP070N08LS5
