时间：2025/5/20 12:18:53
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BSZ067N06LS3G 是一款由 Nexperia（前身为 NXP 的标准产品业务部）生产的功率 MOSFET，具体属于逻辑电平驱动的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 DPAK 封装，广泛应用于需要高效能和低导通电阻的场景中。由于其低导通电阻特性，它在开关电源、电机驱动、负载开关等应用中表现出色。
BSZ067N06LS3G 在设计时考虑了高效率和低损耗的需求，使其成为现代电子设备的理想选择，尤其是在便携式电子产品中。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ
栅极-源极电压（Vgs(th)）：1V至4V
功耗：209W
工作结温范围：-55℃至175℃
BSZ067N06LS3G 的主要特性包括超低导通电阻（Rds(on)），这使得其传导损耗非常小，非常适合高频开关应用。此外，其较高的雪崩能量能力增强了器件的鲁棒性。逻辑电平驱动设计使该 MOSFET 可以直接与大多数微控制器或数字逻辑电路配合使用，而无需额外的驱动电路。
其他重要特性还包括：
- 高效开关性能，减少开关损耗。
- 符合 AEC-Q101 标准，适合汽车级应用。
- 热稳定性强，能够在高温环境下可靠运行。
- 具备快速开关速度，适用于 DC-DC 转换器、逆变器和其他高频应用。
- 小型封装设计，节省 PCB 空间。
该器件广泛用于多种电力电子领域，包括但不限于以下应用：
- 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
- 电机控制和驱动中的功率级元件。
- 各种负载开关应用场景，例如服务器、笔记本电脑和消费类电子设备。
- 汽车电子系统中的功率转换和负载管理。
- 太阳能逆变器和其他可再生能源相关应用中的功率调节模块。
BSC067N06NS3G, BSS84
