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BSZ060NE2LS 发布时间 时间:2025/5/9 19:15:23 查看 阅读:5

BSZ060NE2LS是一款基于硅技术的超小型肖特基二极管,主要应用于高频整流和开关电路。该器件采用SOD-123FL封装形式,具备低正向压降和快速恢复时间的特点,非常适合在便携式设备、电源管理模块以及高效能电子系统中使用。
  此肖特基二极管因其高效率和可靠性,成为众多现代电子设计中的关键元件。其设计旨在降低功耗并提高整体系统的性能。

参数

最大正向电流:1A
  峰值反向电压:40V
  正向电压:0.35V(典型值,@If=100mA)
  反向漏电流:10uA(最大值,@Vr=40V,Tj=25°C)
  工作结温范围:-55°C至+175°C
  热阻:200K/W

特性

BSZ060NE2LS具有以下显著特性:
  1. 超低正向压降确保更高的效率,在电池供电应用中尤其重要。
  2. 快速开关速度,使其能够应对高频操作环境。
  3. 高温稳定性,允许在极端温度条件下可靠运行。
  4. 小型化封装,节省PCB空间,适合高密度设计。
  5. 绿色环保,符合RoHS标准,无铅材料使用。
  这些特点使得BSZ060NE2LS成为各种功率转换和保护电路的理想选择。

应用

BSZ060NE2LS广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. 便携式电子设备的电源管理单元。
  3. 逆变器和太阳能充电控制器中的高频整流。
  4. 各种保护电路,如防止反向电流或过压保护。
  5. 数据通信设备中的信号隔离和保护。
  由于其高效的能量转换能力,BSZ060NE2LS特别适用于需要低功耗和高可靠性的场景。

替代型号

MBR0520LT1G
  SS14
  1SS382

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BSZ060NE2LS产品

BSZ060NE2LS参数

  • 数据列表BSZ060NE2LS
  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs9.1nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds670pF @ 12V
  • 功率 - 最大2.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSZ060NE2LS-NDBSZ060NE2LSATMA1SP000776122