时间：2025/5/23 10:11:48
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BSZ040N06LS5ATMA1 是一款 N 沟道逻辑电平 MOSFET，采用 SuperSO8 封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种高效能电源管理应用。其额定电压为 60V，最大持续漏极电流可达 4A（在 25°C 时）。这种 MOSFET 特别适合于需要高效率和低功耗的场合。
该器件由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产，广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备中。
型号：BSZ040N06LS5ATMA1
类型：N 沟道 MOSFET
封装：SuperSO8
最大漏源电压 Vds：60V
最大栅源电压 Vgs：±20V
最大连续漏极电流 Id：4A
导通电阻 Rds(on)（典型值，Vgs=4.5V）：4mΩ
导通电阻 Rds(on)（最大值，Vgs=4.5V）：5mΩ
总栅极电荷 Qg：7nC
输入电容 Ciss：1390pF
输出电容 Coss：220pF
反向传输电容 Crss：68pF
结温范围 Tj：-55°C 至 +175°C
工作温度范围 Ta：-55°C 至 +150°C
BSZ040N06LS5ATMA1 的主要特点是低导通电阻和高效率性能。它的典型导通电阻仅为 4mΩ（在 Vgs=4.5V 时），这使得它非常适合于低功耗设计。此外，其快速开关能力得益于较低的栅极电荷 (Qg)，从而减少了开关损耗并提高了整体系统效率。
该器件还具备出色的热性能，能够承受高达 175°C 的结温，这使得它能够在严苛环境下稳定运行。同时，其超小型 SuperSO8 封装节省了 PCB 空间，为紧凑型设计提供了便利。
另外，由于它是逻辑电平 MOSFET，在低至 4.5V 的栅极驱动电压下即可完全开启，因此非常适合与低压微控制器或数字电路配合使用。
这款 MOSFET 主要应用于消费电子、工业控制及通信领域。具体应用场景包括但不限于：
1. 开关电源（Switching Power Supplies）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 负载开关和保护电路。
4. 电池供电设备中的电池管理模块。
5. 小型电机驱动和电磁阀控制。
6. LED 驱动电路中的开关组件。
7. 工业自动化系统中的信号隔离和功率传输部分。
BSZ040N06LS4, BSC040N06NS5, STP45NF06L, IRF7404
