BSZ037N06LS5是一款由Infineon Technologies制造的N沟道功率MOSFET,设计用于高效率电源转换应用。该器件采用先进的CoolMOS?技术,具有低导通电阻和出色的热性能,适用于诸如电源供应器、DC-DC转换器和电机控制等应用。
类型:N沟道
最大漏源电压(Vds):600V
最大漏极电流(Id):37A
导通电阻(Rds(on)):48mΩ
栅极电荷(Qg):94nC
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220
BSZ037N06LS5具有多项先进特性,使其在高性能电源应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了整体效率。其次,采用CoolMOS?技术使得该器件在高频率下运行时仍能保持较低的开关损耗,从而支持更高开关频率的设计,减少外部元件的尺寸和成本。此外,该MOSFET具备优异的热稳定性,能够在高温环境下可靠工作,提高了系统的稳定性和寿命。BSZ037N06LS5还具有较高的短路耐受能力,有助于在异常工作条件下保护器件不受损坏。其封装设计优化了散热性能,确保在高功率密度应用中保持良好的热管理。综合这些特性,BSZ037N06LS5非常适合用于要求高效、紧凑和高可靠性的电源系统设计。
另外,该器件的栅极电荷(Qg)较低,有助于减少驱动电路的功耗,同时加快开关速度,进一步提升效率。其快速恢复二极管特性也使其在反向恢复过程中表现出较低的损耗和噪声,适用于需要高动态性能的开关电路。BSZ037N06LS5的这些特性使其成为工业电源、服务器电源、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等应用中的理想选择。
BSZ037N06LS5广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中。典型应用包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、不间断电源(UPS)、电机驱动器和电池管理系统。此外,该器件也可用于工业自动化设备、LED照明驱动器和家用电器中的高效能电源模块。
IPA60R045C7, STW43NM60N