时间：2025/5/12 13:13:28
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BSZ028N04LS 是一款 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和快速开关特性。它适用于各种高效能、低功耗的应用场景，如电源管理模块、电机驱动器、负载切换以及 DC-DC 转换器等。此外，其小型封装设计使得它非常适合于空间受限的设计环境。
这款 MOSFET 的额定电压为 40V，能够承受一定的瞬态电压冲击，并且具备良好的热性能，适合高效率功率转换应用。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：6.1A
导通电阻（典型值）：2.8mΩ
栅极阈值电压：1.5V~3.5V
输入电容：950pF
结温范围：-55℃~175℃
封装类型：TO-252 (DPAK)
BSZ028N04LS 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关能力，支持高频工作模式。
3. 低栅极电荷，减少驱动损耗。
4. 高雪崩能量耐量，增强了器件的鲁棒性。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 小尺寸封装，节省 PCB 空间。
7. 支持宽泛的工作温度范围，确保在极端条件下依然稳定运行。
BSZ028N04LS 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率因数校正。
2. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
3. 各类 DC-DC 转换器，包括降压、升压和反相拓扑。
4. 消费类电子设备中的电机控制和驱动。
5. 工业自动化系统中的信号切换与功率调节。
6. LED 驱动器及照明解决方案。
7. 便携式电子产品中的电源管理单元。
IRLZ44N, AO3400A, FDMQ8207
