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BSZ019N03LS 发布时间 时间:2025/4/30 9:07:51 查看 阅读:28

BSZ019N03LS 是一款 N 沣道晶体管(N-Channel MOSFET),属于功率半导体器件。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点,适用于各种功率转换和电机驱动应用。BSZ019N03LS 通常被用作高效能开关元件,在电源管理领域中发挥重要作用。
  该器件的主要特点在于其优化的 Rds(on) 参数,能够显著降低传导损耗并提升系统效率。此外,它还具备出色的雪崩能力和静电放电保护功能,确保在恶劣环境下的可靠运行。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:98A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  栅极电荷:46nC
  总电容:2150pF
  功耗:270W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

BSZ019N03LS 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗。
  2. 高额定电流能力,支持大功率应用。
  3. 快速开关速度,适合高频操作。
  4. 强大的雪崩能量承受能力,提高系统的可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业要求。
  6. 小型化封装设计,便于 PCB 布局和散热管理。

应用

BSZ019N03LS 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流管。
  2. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动电路。
  3. 电池保护和管理系统中的负载开关。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品中的功率级控制。
  5. 汽车电子系统中的高边或低边开关。

替代型号

BSC019N03LS
  IPB019N03L
  STP019N03LD

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BSZ019N03LS参数

  • 数据列表BSZ019N03LS
  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C22A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.9 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs44nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2800pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSZ019N03LS-NDBSZ019N03LSATMA1SP000792362