BSZ019N03LS 是一款 N 沣道晶体管(N-Channel MOSFET),属于功率半导体器件。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点,适用于各种功率转换和电机驱动应用。BSZ019N03LS 通常被用作高效能开关元件,在电源管理领域中发挥重要作用。
该器件的主要特点在于其优化的 Rds(on) 参数,能够显著降低传导损耗并提升系统效率。此外,它还具备出色的雪崩能力和静电放电保护功能,确保在恶劣环境下的可靠运行。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:98A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
栅极电荷:46nC
总电容:2150pF
功耗:270W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
BSZ019N03LS 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗。
2. 高额定电流能力,支持大功率应用。
3. 快速开关速度,适合高频操作。
4. 强大的雪崩能量承受能力,提高系统的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业要求。
6. 小型化封装设计,便于 PCB 布局和散热管理。
BSZ019N03LS 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流管。
2. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动电路。
3. 电池保护和管理系统中的负载开关。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品中的功率级控制。
5. 汽车电子系统中的高边或低边开关。
BSC019N03LS
IPB019N03L
STP019N03LD