时间：2025/5/7 9:51:14
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BSZ017NE2LS5I是一款高性能的MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合于高效能电子设备。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：42A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ
栅极电荷(Qg)：68nC
总功耗(Ptot)：170W
工作温度范围：-55°C to 150°C
BSZ017NE2LS5I具备出色的电气性能和热性能。
1. 超低导通电阻保证了更高的效率，减少了功率损耗。
2. 高速开关能力使其在高频应用中表现优异。
3. 增强型散热设计提高了器件的热稳定性。
4. 具备强大的短路耐受能力，确保在异常情况下依然能够正常工作。
5. 符合RoHS标准，环保无铅封装。
这款MOSFET适用于多种工业和消费类电子产品领域。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC/DC转换器中的主开关或续流二极管替代。
3. 电动工具和家用电器的电机驱动控制。
4. 汽车电子系统中的负载切换。
5. 大功率LED照明驱动电路。
IRF3205, FDP55N06L, STP55NF06
