类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：50V
　　连续漏极电流（ID）：1.8A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：7A
　　导通电阻（RDS(on) max）：200mΩ @ VGS=10V；250mΩ @ VGS=4.5V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　栅极电荷（Qg）：6nC @ VDS=25V, ID=1.8A
　　输入电容（Ciss）：220pF @ VDS=25V
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：25ns
　　反向恢复时间（trr）：18ns
　　最大工作结温（Tj）：150°C
　　封装：PG-SOT323 (SOT-346)

BSX50-520具备出色的电气特性和热稳定性，使其在中低压功率开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其是在大电流条件下能够有效减少发热，提高能源利用效率。例如，在4.5V栅极驱动电压下，其典型RDS(on)仅为200mΩ左右，这对于电池供电设备尤为重要，因为它直接关系到续航时间和系统温升控制。
　　其次，该器件采用了优化的沟槽栅结构，实现了较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），从而大幅减少了开关过程中的驱动能量需求和开关损耗。这一特性使得BSX50-520非常适合用于高频DC-DC变换器、同步整流电路以及负载开关等需要快速切换的应用场景。同时，较低的输入电容也有助于减轻驱动IC的负担，简化外围电路设计。
　　再者，BSX50-520具有良好的安全工作区（SOA）表现，在瞬态过载或短路情况下仍能保持一定耐受能力，增强了系统的鲁棒性。其反向恢复时间较短，体二极管性能优良，适用于存在感性负载或需要续流路径的电路中，如H桥驱动或BLDC电机控制。
　　此外，该器件的小型化封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，通过合理的布局和敷铜设计可实现有效的热传导。结合其150°C的最大结温，BSX50-520可在较宽的环境温度范围内可靠运行，满足工业级应用的需求。最后，其生产过程遵循严格的品质管控流程，确保批次一致性与长期供货稳定性，是现代高密度电源设计中的优选器件之一。

BSX50-520广泛应用于多种中低功率电子系统中，尤其适用于对尺寸和效率有较高要求的场合。常见应用包括便携式消费电子产品中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路，其低导通电阻和小封装优势在此类应用中尤为突出。
　　在DC-DC转换器领域，该器件常用于降压（Buck）或升压（Boost）拓扑结构中作为主开关或同步整流管，凭借其快速开关特性和低损耗表现，有助于提升转换效率并减小整体电源体积。此外，在LED驱动电路中，BSX50-520可用于恒流调节或PWM调光控制，实现高效稳定的照明输出。
　　工业控制方面，它被广泛用于继电器驱动、电磁阀控制、小型电机驱动（如微型风扇、泵类设备）以及PLC输入/输出模块中的信号切换功能。由于其具备较强的抗干扰能力和温度适应性，适合在复杂电磁环境中长期稳定运行。
　　通信设备中，BSX50-520可用于隔离电源、接口保护电路或热插拔控制单元，保障数据传输的可靠性。同时，在智能家居和物联网终端设备中，该器件因其高集成度和低静态功耗特性，成为实现节能待机和快速唤醒功能的理想选择。总之，凡是需要小型化、高效能N沟道MOSFET的场景，BSX50-520都具备良好的适用性。

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　　 "BSS138",
　　 "DMG2305U",
　　 "FDS6670A",
　　 "SI2302DS",
　　 "AO3400"
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