类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：140A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：180W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

BSW37 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），仅为 4.5mΩ，这显著降低了在高电流条件下的功率损耗，提高了系统的整体效率。该器件采用 STMicroelectronics 先进的沟槽栅极技术，优化了载流能力和热性能。
　　此外，BSW37 支持高达 140A 的漏极电流和 30V 的漏源电压，适用于高功率密度的设计。其 TO-263（D2PAK）封装不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，适用于自动化生产。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，支持常见的 10V 栅极驱动器，同时也具备良好的抗雪崩能力和热稳定性，适用于严苛的工作环境。其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，确保在各种温度条件下都能稳定运行。
　　BSW37 还具有快速开关特性，有助于降低开关损耗，在高频开关电源、DC-DC转换器和电机控制应用中表现出色。此外，其内置的体二极管能够提供反向电流保护，增强电路的可靠性。

BSW37 广泛应用于各种功率电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。其主要应用包括：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）、电动工具和电动车控制器等。
　　在开关电源中，BSW37 可作为主开关器件，用于提高转换效率并减少发热。在DC-DC转换器中，其低导通电阻和快速开关特性有助于实现更高的功率密度和更小的外形尺寸。
　　在电机控制和电动车应用中，BSW37 能够承受高电流和频繁的开关操作，确保系统的稳定性和耐用性。此外，其出色的热性能也使其适合用于高密度功率模块和工业自动化设备。

STP150N3LLF3, IPP110N3LLF3, BSC090N03LS