类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 (Vds)：30V
　　栅源电压 (Vgs)：±20V
　　连续漏极电流 (Id)：10A
　　导通电阻 (Rds(on))：15mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

BSW13 MOSFET 具有低导通电阻，使其在导通状态下功耗更低，效率更高。其 30V 的漏源电压额定值使其适用于多种中低功率应用，如电源管理模块和 DC-DC 转换器。该器件支持高达 10A 的连续漏极电流，能够在较高负载下稳定工作。此外，BSW13 的封装形式（TO-252 或 DPAK）具有良好的热性能，有助于散热并提升整体系统可靠性。该 MOSFET 还具有快速开关特性，减少了开关过程中的能量损耗，提升了整体系统效率。由于其高性能和稳定性，BSW13 常被用于对可靠性有较高要求的工业设备、车载电子系统以及消费类电子产品中。
　　ROHM 在 BSW13 的设计中采用了先进的硅基技术，确保了器件在高电流和高温条件下的稳定性。该 MOSFET 支持宽范围的栅极驱动电压，使其可以与多种控制 IC 兼容。此外，其封装形式支持表面贴装工艺，便于自动化生产和提高 PCB 设计的灵活性。BSW13 在设计上也考虑了长期使用的可靠性和稳定性，能够在恶劣的电气和热环境下保持良好的性能。

BSW13 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及汽车电子控制系统。由于其低导通电阻和高电流承载能力，BSW13 也适用于需要高效能和小型化设计的电源模块和便携式设备中。此外，该 MOSFET 可用于 LED 照明驱动、电源管理单元（PMU）以及各种功率开关电路。

BUK7K10-40H, FDS6680, Si4410BDY