时间：2025/8/29 22:24:04
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BSV18C是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的SGS（Shielded Gate）技术，具有低导通电阻和优异的开关性能。该器件专为高效能电源转换应用设计，适用于如DC-DC转换器、电源管理系统以及电机控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：18mΩ
功率耗散(Pd)：42W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：PG-TDSON
BSV18C采用了英飞凌的SGS技术，这种技术通过屏蔽栅极结构，显著降低了栅极电荷和导通损耗，从而提高了开关效率并减少了热损耗。
该器件具有非常低的Rds(on)值（仅18mΩ），在高电流工作条件下能够有效降低功率损耗，减少发热，从而提高整体系统效率。
BSV18C的封装形式为PG-TDSON，具有良好的热管理性能，便于散热，适用于高密度PCB布局。
其±20V的栅源电压耐受能力使其在高噪声环境中仍能保持稳定运行，提高了器件的可靠性和耐用性。
此外，BSV18C具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC转换器和负载开关等电路设计。
BSV18C广泛应用于电源管理系统，特别是在需要高效能和低导通损耗的场合，如笔记本电脑电源、服务器电源、电池管理系统等。
该器件适用于DC-DC转换器中的同步整流部分，可显著提高转换效率，降低发热量。
BSV18C也常用于电机驱动和负载开关电路中，其高电流能力和低导通电阻使其成为高性能控制应用的理想选择。
由于其优异的热性能和小型封装，该MOSFET在便携式电子设备中也有广泛应用，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。
BSV20C, BSC108N, IPB180N04N
