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BST82 发布时间 时间:2025/8/2 9:10:59 查看 阅读:27

BST82是一款常用的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件广泛应用于放大和开关电路中,尤其适合于低至中功率的应用场合。BST82具备良好的性能参数,如较高的电流增益和快速的开关响应,使其成为许多电子设计中的常用元件。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极-发射极电压(Vce):30V
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大功率耗散:300mW
  电流增益(hFE):110-800(取决于工作电流)
  频率响应:100MHz(典型值)
  封装形式:TO-92

特性

BST82晶体管具有优异的电流放大性能,其hFE值范围宽广,从110到800不等,能够适应多种电路设计需求。该器件的开关速度较快,适用于高频放大和数字开关应用。BST82的封装形式为TO-92,具有良好的热稳定性和机械强度,适合在各种环境条件下工作。此外,BST82具备较低的饱和压降,有助于降低功耗并提高电路效率。在使用过程中,BST82表现出良好的线性度,适用于模拟信号放大场景,如音频放大器的前置放大级。同时,该晶体管的可靠性和稳定性使其成为工业控制、消费电子和通信设备中的理想选择。

应用

BST82晶体管常用于放大电路和开关电路的设计。其高频特性使其适用于射频(RF)放大器和信号处理电路。此外,BST82也广泛用于数字逻辑电路中的开关元件,以及驱动LED、继电器或小型电机等负载。在音频设备中,它可用于前置放大器和信号调节电路。由于其良好的稳定性和可靠性,BST82还适用于工业自动化控制、传感器接口电路和电源管理模块。

替代型号

BC547, 2N3904

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BST82参数

  • 典型输入电容值@Vds25 pF V @ 10
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度1.4mm
  • 封装类型TO-236AB
  • 尺寸3 x 1.4 x 1mm
  • 引脚数目3
  • 最低工作温度-65 °C
  • 最大功率耗散0.83 W
  • 最大栅源电压±20 V
  • 最大漏源电压100 V
  • 最大漏源电阻值10
  • 最大连续漏极电流0.19 A
  • 最高工作温度+150 °C
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别功率 MOSFET
  • 通道模式增强
  • 通道类型N
  • 配置
  • 长度3mm
  • 高度1mm