BST80 时间：2025/8/2 7:46:08 阅读：23

BST80 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和开关应用中。该器件采用先进的高压制程技术，具备良好的导通特性和快速开关能力。BST80主要面向需要高效能、高可靠性的工业和消费类电子设备，适用于各种功率控制和转换场景。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：800 V
　　最大漏极电流（ID）：7 A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2 Ω
　　最大功率耗散（PD）：50 W
　　封装形式：TO-220
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

BST80 MOSFET具有多项关键性能特性，适用于高电压和高效率的应用场景。首先，其最大漏源电压（VDS）为800V，使其适用于高压电源转换系统，例如开关电源（SMPS）、AC-DC转换器和电机控制应用。其次，该器件的漏极电流最大可达7A，支持较高功率的负载管理。导通电阻（RDS(on)）为1.2Ω，这一数值相对较低，有助于减少导通损耗，提高整体能效。此外，BST80具备50W的最大功率耗散能力，能够在较高温度环境下保持稳定运行。其TO-220封装形式不仅便于散热设计，也适合在紧凑型电路板布局中使用。BST80还具有良好的热稳定性和抗过载能力，确保在复杂工作条件下依然保持可靠性能。其工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种严苛环境下的运行需求。这些特性共同使得BST80成为高压、中等功率应用中的理想选择。

应用

BST80 MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、电机控制电路、照明系统（如LED驱动器）、电池充电器以及工业自动化设备。在这些应用中，BST80可以作为功率开关元件，实现高效的电能转换与控制。由于其高压能力和良好的导通特性，BST80也常用于需要高频率开关操作的逆变器和DC-DC转换器中。此外，在家电控制和智能能源管理系统中，BST80同样表现出色，能够有效支持各种高电压负载的驱动需求。