您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > BST62,115

BST62,115 发布时间 时间:2025/9/14 20:18:18 查看 阅读:3

BST62,115 是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)推出的双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT),属于NPN型晶体管系列。该晶体管广泛应用于汽车电子、工业控制、功率开关以及通用放大电路等领域。BST62,115 设计用于高电流负载的开关应用,具备较高的电流容量和良好的热稳定性,适合在恶劣环境下工作。该器件通常采用TO-220封装,具备良好的散热性能和机械强度。

参数

类型:NPN型晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):100V
  最大集电极电流(IC):3A
  最大功耗(PD):30W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  增益(hFE):在2mA至2A范围内为20至80
  封装形式:TO-220
  过渡频率(fT):25MHz
  饱和压降(VCE(sat)):最大1.5V(在IC=3A时)

特性

BST62,115 晶体管具备多项优良特性,适用于高要求的功率开关和放大应用。
  首先,其最大集电极-发射极电压(VCEO)可达100V,能够承受较高的电压应力,适用于中高压开关电路。
  其次,该晶体管的最大集电极电流为3A,具备较高的电流承载能力,适合驱动继电器、电机、电磁阀等高功率负载。
  此外,BST62,115 的最大功耗为30W,配合TO-220封装良好的散热性能,能够在较高环境温度下稳定工作。
  该晶体管的增益(hFE)范围为20至80,在较宽的电流范围内(2mA至2A)保持良好的放大性能,适用于多种开关和放大电路设计。
  其过渡频率(fT)为25MHz,具备一定的高频响应能力,适用于中频放大或高速开关应用。
  饱和压降(VCE(sat))最大为1.5V,在大电流工作时仍能保持较低的导通损耗,提高整体系统的效率。
  该器件还具备良好的热稳定性和过载保护能力,适合在汽车电子、工业自动化等对可靠性要求较高的环境中使用。
  总体而言,BST62,115 是一款性能稳定、应用广泛的功率晶体管,适合多种高功率开关和放大电路设计。

应用

BST62,115 主要应用于以下领域:
  1. 汽车电子:用于控制电机、继电器、灯光系统、燃油泵等高电流负载的开关电路。
  2. 工业自动化:作为PLC输出模块、继电器驱动、执行器控制中的功率开关元件。
  3. 功率电源:用于DC-DC转换器、稳压电源、电池充电器等电路中的开关控制。
  4. 电机控制:适用于直流电机的启停、方向控制及调速电路。
  5. 家用电器:用于洗衣机、空调、电磁炉等设备中的高功率负载控制。
  6. 通用放大电路:作为音频功率放大器或中频放大器的输出级使用。
  7. 安全系统:用于报警系统、门禁控制器、工业传感器等设备中的开关控制。
  8. 通信设备:在低频通信电路中作为功率放大或信号切换元件。
  由于其高电流容量和良好的热稳定性,BST62,115 在需要可靠性和高负载能力的应用中表现出色。

替代型号

TIP122, BDW93C, STT62, TIP142, 2SD1407

BST62,115推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

BST62,115资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

BST62,115参数

  • 特色产品NXP - I2C Interface
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.3V @ 500µA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)50nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)2000 @ 500mA,10V
  • 功率 - 最大1.3W
  • 频率 - 转换200MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装SOT-89-3
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称568-6972-6