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BST60,115 发布时间 时间:2025/9/14 7:32:31 查看 阅读:11

BST60,115 是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)生产的双极性晶体管(BJT),属于功率晶体管类别。这款晶体管设计用于高功率放大和开关应用,具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力。BST60,115 采用TO-220封装,适合用于需要高可靠性和高功率处理能力的电路中。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极电流(Ic):4 A
  最大集电极-发射极电压(Vce):80 V
  最大集电极-基极电压(Vcb):100 V
  最大功耗(Ptot):60 W
  电流增益(hFE):在Ic=2A时,hFE=25至80
  过渡频率(fT):25 MHz
  封装类型:TO-220

特性

BST60,115 功率晶体管具有出色的热管理和高电流处理能力,能够在高负载条件下稳定工作。其TO-220封装形式有助于有效地散热,延长器件的使用寿命。该晶体管的电流增益范围较宽,可以根据具体应用需求选择合适的增益级别。此外,BST60,115 还具备较高的耐压能力,适用于多种高电压和高电流应用场景。
  该晶体管的另一个显著特点是其高频响应能力,过渡频率(fT)达到25 MHz,使其适用于中高频放大电路。BST60,115 在电源管理、电机控制、开关电源和音频放大器等领域中表现出色,是一款多功能的功率晶体管。此外,其高可靠性和耐用性也使其成为工业控制和汽车电子系统中的理想选择。

应用

BST60,115 主要用于需要高功率放大的电子电路中,常见于开关电源、直流电机控制、逆变器和音频功率放大器等应用。由于其高电流和高电压承受能力,它也常用于工业自动化设备、汽车电子系统和电源管理系统。此外,该晶体管还可用于各种类型的功率调节和能量转换设备中。

替代型号

TIP30C, 2N3055, MJ2955

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BST60,115参数

  • 特色产品NXP - I2C Interface
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.3V @ 500µA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)50nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)2000 @ 500mA,10V
  • 功率 - 最大1.3W
  • 频率 - 转换200MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装SOT-89-3
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称568-6970-6