时间：2025/6/24 5:39:42
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BST143A053R 是一款高性能的 MOSFET 器件，采用 N 沟道增强型技术。该芯片主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。其出色的导通电阻和快速的开关特性使得它在功率转换应用中表现出色。此外，BST143A053R 采用了先进的封装技术，确保了高可靠性和散热性能。
额定电压：50V
额定电流：80A
导通电阻：2.9mΩ
栅极电荷：67nC
输入电容：2080pF
最大功耗：200W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
BST143A053R 具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，这使其在高频开关应用中能够显著降低功率损耗。同时，其坚固的封装设计可以承受较大的电流和瞬态电压冲击。
该器件还具有优异的热稳定性和低反向恢复电荷 (Qrr)，从而减少了开关损耗并提高了整体效率。
此外，BST143A053R 的设计符合 RoHS 标准，支持环保要求，并且具备良好的静电防护能力以防止制造过程中的损坏。
BST143A053R 广泛用于各种功率电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动控制
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化设备
6. 电动汽车充电桩
由于其高效能和可靠性，这款 MOSFET 在需要高效率和高功率密度的设计中非常受欢迎。
IRLB8748PBF, AO4444
