类型：P沟道
　　极性：增强型
　　最大漏源电压（VDS）：-50 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　最大连续漏极电流（ID）：-100 mA
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-400 mA
　　最大功耗（PD）：250 mW
　　导通电阻（RDS(on)）：≤ 4.5 Ω @ VGS = -10 V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤ 6 Ω @ VGS = -5 V
　　阈值电压（VGS(th)）：-1 V 至 -2.5 V
　　输入电容（Ciss）：约 20 pF
　　输出电容（Coss）：约 15 pF
　　反向传输电容（Crss）：约 4 pF
　　开启时间（ton）：约 10 ns
　　关断时间（toff）：约 15 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

BSS91 P沟道MOSFET具备多项优异的电气与物理特性，使其在低功率开关应用中表现突出。首先，其最大漏源电压为-50V，能够适应大多数中低压直流系统的电压等级，适用于电池供电设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源切换和负载管理。其次，该器件的导通电阻在VGS = -10V时典型值低于4.5Ω，在VGS = -5V时仍能保持在6Ω以下，这保证了在低驱动电压下依然具备较低的导通损耗，提高了系统效率。这对于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用尤为重要，避免了使用额外的负压生成电路。
　　该器件的阈值电压范围为-1V至-2.5V，确保在较低的栅极驱动电压下即可实现可靠导通，增强了与现代低电压微控制器的兼容性。同时，BSS91的输入、输出和反向传输电容均处于较低水平，典型Ciss为20pF，Coss为15pF，Crss为4pF，这意味着其开关速度较快，开关损耗小，适用于高频开关操作，有助于提升系统动态响应性能。此外，开启时间和关断时间分别约为10ns和15ns，进一步证明了其快速开关能力，适合用于需要快速通断控制的场合，如LED调光、电机启停控制等。
　　BSS91采用SOT-23小型表面贴装封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，同时具备良好的散热性能。其最大功耗为250mW，在适当散热条件下可长期稳定运行。工作结温范围从-55°C到+150°C，表明其可在极端环境温度下正常工作，适用于工业级和汽车电子等严苛应用场景。此外，器件具备良好的抗静电放电（ESD）能力，提高了在生产和使用过程中的可靠性。综上所述，BSS91凭借其低导通电阻、逻辑电平兼容、快速开关、小封装和高可靠性，成为众多低功率P沟道MOSFET应用中的优选器件。

BSS91广泛应用于各类低功率电子系统中，尤其适合作为电源开关、负载切换器和信号通断控制元件。在便携式电子设备中，如智能手机、蓝牙耳机、智能手表和移动电源等，BSS91常用于电池与负载之间的通断控制，通过微控制器的GPIO引脚直接驱动，实现低功耗待机模式下的电源管理，有效延长电池续航时间。在这些应用中，其P沟道结构使得在高端开关配置中无需电荷泵电路即可实现完全导通，简化了设计复杂度。
　　在嵌入式系统和微控制器外围电路中，BSS91可用于复位电路、外设供电控制或传感器使能信号的开关，利用其低静态电流和快速响应特性，实现精确的电源域管理。此外，在DC-DC转换器或LDO稳压器的辅助电路中，BSS91可作为反向电流阻断二极管的替代方案，利用其低RDS(on)减少压降和功耗，提高整体能效。
　　工业控制领域中，BSS91可用于PLC模块、传感器接口板和远程I/O单元中的信号切换和电源隔离。其宽温度范围和高可靠性确保在恶劣工业环境中长期稳定运行。在通信设备中，如路由器、交换机和光模块，BSS91可用于热插拔保护电路或通道选择开关，防止上电瞬间的浪涌电流损坏敏感器件。
　　此外，BSS91也适用于LED驱动电路中的开关控制，特别是在需要调光或分组控制的场景中，可通过PWM信号快速通断来调节亮度。其小封装特性也使其适合用于空间受限的高密度PCB设计。总之，BSS91凭借其多功能性和高集成度，已成为现代电子设计中不可或缺的通用型P沟道MOSFET解决方案。

BSS84
　　MMBT3906
　　FMMT718