时间：2025/12/26 3:39:41
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BSS84W-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理、开关电路和信号控制等场景。该器件采用SOT-23（SC-59）小型表面贴装封装，适合在空间受限的高密度PCB设计中使用。BSS84W-7-F以其低阈值电压、快速开关特性和良好的热稳定性著称，能够有效支持电池供电设备中的低功耗操作需求。该MOSFET符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-Free）特性，适用于消费电子、便携式设备、通信模块以及工业控制等多种应用场景。
作为一款通用型P沟道MOSFET，BSS84W-7-F常被用于替代其他同类器件，其引脚兼容性良好，便于在现有设计中进行替换或升级。器件的最大漏源电压（VDS）为-50V，连续漏极电流可达-160mA（ID），能够在较宽的温度范围内稳定工作（-55°C至+150°C）。此外，该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少功率损耗并提升系统效率。
型号：BSS84W-7-F
类型：P沟道增强型MOSFET
封装：SOT-23 (SC-59)
最大漏源电压(VDS)：-50 V
最大栅源电压(VGS)：±20 V
连续漏极电流(ID)：-160 mA
脉冲漏极电流(ID_pulse)：-400 mA
功耗(PD)：200 mW
工作结温范围(TJ)：-55°C 至 +150°C
存储温度(Tstg)：-55°C 至 +150°C
导通电阻(RDS(on))：@VGS = -10V: 800 mΩ (max); @VGS = -5V: 1.2 Ω (max)
阈值电压(VGS(th))：-0.8 V 至 -2.0 V
输入电容(Ciss)：15 pF @ VDS=10V, VGS=0V
输出电容(Coss)：10 pF @ VDS=10V, VGS=0V
反向传输电容(Crss)：2.5 pF @ VDS=10V, VGS=0V
栅极电荷(Qg)：1.5 nC @ VDS=25V, ID=-4mA
体二极管反向恢复时间(trr)：12 ns
BSS84W-7-F具备优异的开关性能与低功耗特性，特别适合用于电池供电系统中的负载开关或电平转换应用。其P沟道结构允许在栅极为低电平时导通，简化了驱动电路的设计，尤其适用于逻辑电平直接控制的应用场景。器件的阈值电压范围为-0.8V至-2.0V，在低电压下即可实现有效的导通控制，确保在3.3V甚至更低供电系统中仍能可靠工作。这使得它在现代低电压、低功耗电子产品中具有显著优势。
该MOSFET的导通电阻RDS(on)在VGS = -10V时典型值为800mΩ，在VGS = -5V时最大为1.2Ω，虽然相较于一些高性能大电流MOSFET略高，但对于小信号开关和中等负载控制已足够高效。这种水平的RDS(on)可以在不产生过多热量的前提下完成多数开关任务，同时保持较高的能效比。此外，由于其封装尺寸极小（SOT-23），热阻相对较高，因此在高电流或长时间运行条件下需注意散热设计。
BSS84W-7-F还具备良好的抗静电能力（ESD保护）和稳定的栅氧化层可靠性，能够在复杂电磁环境中保持长期稳定性。其输入电容仅为15pF，输出电容10pF，意味着在高频开关应用中具有较低的驱动损耗和较快的响应速度，适合用于高达数百kHz的开关频率场景。体二极管的反向恢复时间为12ns，属于较快水平，有助于减少换向过程中的能量损耗，提高整体效率。综合来看，这款器件是中小功率模拟与数字混合电路中理想的开关元件选择。
BSS84W-7-F广泛应用于便携式电子设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源开关和负载控制；也可用于各类嵌入式系统的电平转换电路，实现不同电压域之间的信号隔离与传递；此外，在DC-DC转换器、LED驱动电路、继电器驱动接口及电机控制模块中也常见其身影。由于其SOT-23封装体积小巧，特别适合用于高密度PCB布局的产品设计中。工业自动化控制系统、传感器模块、通信接口保护电路以及电池管理系统（BMS）中的充放电控制单元同样是其典型应用领域。得益于其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），该器件也能胜任较为严苛的环境条件下的任务，例如汽车电子外围电路或户外设备中的低功耗控制节点。
ZVP2106A,FDS6670A,DMG2302UK
