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BSS84Q-7-F 发布时间 时间:2025/7/11 15:40:33 查看 阅读:10

BSS84Q-7-F是一款NPN型小信号晶体管,主要应用于开关和放大电路中。该器件采用SOT-323封装形式,具有小型化、高效能的特点,适用于空间受限的设计环境。BSS84Q-7-F以其高电流增益和低饱和电压而著称,广泛用于消费电子、通信设备和工业控制领域。

参数

集电极-发射极电压(VCEO):50V
  集电极最大电流(IC):0.2A
  直流电流增益(hFE):100
  功率耗散(Ptot):225mW
  工作温度范围(Tamb):-55℃ to 150℃

特性

BSS84Q-7-F具备卓越的电气性能和稳定性,其主要特点包括:
  1. 小尺寸封装(SOT-323),适合紧凑型设计。
  2. 高电流增益确保在弱信号放大的情况下保持较高的灵敏度。
  3. 低饱和电压使其能够实现高效的开关操作。
  4. 宽温度范围适应性,支持恶劣环境下稳定工作。
  5. 高可靠性与长寿命,满足各种工业应用需求。

应用

该晶体管常见于以下应用场景:
  1. 开关电源中的信号驱动电路。
  2. 消费类电子产品中的音频信号放大。
  3. 工业控制系统中的逻辑电平转换。
  4. 传感器接口和数据采集系统中的信号调理。
  5. 各种便携式设备中的电池管理模块。

替代型号

BSS84, BSS84W, MPS2222A

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BSS84Q-7-F参数

  • 现有数量2,494现货
  • 价格1 : ¥7.08000剪切带(CT)3,000 : ¥2.73302卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)50 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)130mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)10 欧姆 @ 100mA,5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)0.59 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)45 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)300mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3