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BSS84EST 发布时间 时间:2025/5/23 16:35:46 查看 阅读:17

BSS84EST是一种N沟道小信号增强型场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于需要低功耗、高开关速度的场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关频率,适用于多种电子电路设计。
  由于其出色的电气性能和可靠性,BSS84EST被广泛用于电源管理、信号切换以及保护电路等应用中。

参数

最大漏源电压:-50V
  最大栅源电压:±20V
  最大漏极电流:-0.15A
  漏源击穿电压:-50V
  导通电阻:约7欧姆
  栅极电荷:1nC
  总电容:约35pF
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C

特性

BSS84EST具有以下显著特点:
  1. 高耐压能力:最大漏源电压可达-50V,适合高压环境下的使用。
  2. 低导通电阻:在典型条件下,导通电阻约为7欧姆,有助于减少功率损耗。
  3. 快速开关特性:具备较低的栅极电荷和总电容,支持高频操作。
  4. 小封装尺寸:采用SOT-23封装形式,便于在紧凑型设计中使用。
  5. 稳定性强:能够在较宽的工作温度范围内可靠运行,从-55°C到+150°C。

应用

BSS84EST适用于多种应用场景,包括但不限于:
  1. 开关电源中的同步整流器。
  2. 电池保护电路中的负载开关。
  3. 数据通信接口的ESD保护。
  4. 消费类电子产品中的信号切换。
  5. 工业控制设备中的小型继电器替代方案。
  6. 可穿戴设备和其他便携式电子产品的功率管理模块。

替代型号

BSS84P, BSS84W, PMV40EN

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