时间：2025/5/23 16:35:46
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BSS84EST是一种N沟道小信号增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于需要低功耗、高开关速度的场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关频率，适用于多种电子电路设计。
由于其出色的电气性能和可靠性，BSS84EST被广泛用于电源管理、信号切换以及保护电路等应用中。
最大漏源电压：-50V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：-0.15A
漏源击穿电压：-50V
导通电阻：约7欧姆
栅极电荷：1nC
总电容：约35pF
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
BSS84EST具有以下显著特点：
1. 高耐压能力：最大漏源电压可达-50V，适合高压环境下的使用。
2. 低导通电阻：在典型条件下，导通电阻约为7欧姆，有助于减少功率损耗。
3. 快速开关特性：具备较低的栅极电荷和总电容，支持高频操作。
4. 小封装尺寸：采用SOT-23封装形式，便于在紧凑型设计中使用。
5. 稳定性强：能够在较宽的工作温度范围内可靠运行，从-55°C到+150°C。
BSS84EST适用于多种应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源中的同步整流器。
2. 电池保护电路中的负载开关。
3. 数据通信接口的ESD保护。
4. 消费类电子产品中的信号切换。
5. 工业控制设备中的小型继电器替代方案。
6. 可穿戴设备和其他便携式电子产品的功率管理模块。
BSS84P, BSS84W, PMV40EN
