类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：-100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-100mA（在25°C）
　　功耗（Ptot）：300mW
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为5Ω（在Vgs=-10V时）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-363（TSSOP）
　　引脚数：6
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值为-2.5V，范围为-1.5V至-3.5V
　　漏极-源极击穿电压：-100V
　　输入电容（Ciss）：约18pF
　　输出电容（Coss）：约6pF
　　反向传输电容（Crss）：约1.5pF

BSS84DW_R1_00001 MOSFET 具备多项优良特性，使其在众多电子设计中具有广泛的应用潜力。
　　首先，该器件采用了先进的沟槽技术，使导通电阻较低，同时保证了良好的开关性能。在-10V的栅极驱动电压下，其导通电阻最大值为5Ω，这使得在低电流条件下损耗较小，提高了整体能效。
　　其次，该MOSFET具有较高的电压耐受能力，漏源电压可达-100V，适合用于中高电压的应用场景。此外，栅源电压耐受范围为±20V，增强了在复杂工作环境下的稳定性和抗干扰能力。
　　在功耗方面，BSS84DW_R1_00001的最大功耗为300mW，适用于对功耗要求较为严格的便携式设备和低功耗系统。其工作温度范围为-55°C至+150°C，使其能够在极端温度条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子等对环境要求较高的应用。
　　该器件采用SOT-363（TSSOP）封装，具有6个引脚，体积小巧，便于PCB布局和高密度集成。此外，其输入电容约为18pF，输出电容约为6pF，反向传输电容约为1.5pF，这些参数保证了该MOSFET在高频开关应用中的性能表现。
　　最后，该MOSFET具备较强的抗静电能力，符合行业标准的ESD保护要求，从而提高了器件在装配和使用过程中的可靠性。

BSS84DW_R1_00001 MOSFET 主要应用于需要高效能、低功耗和小型封装的电子系统中。例如，在电源管理系统中，它可用于控制电池供电设备的开关，从而提高能效并延长电池寿命。在DC-DC转换器中，该器件可作为高侧开关，用于调节电压输出。此外，该MOSFET也可用于负载开关、LED驱动器、继电器驱动、电机控制以及各类便携式电子产品中的功率管理模块。由于其具备较高的电压耐受能力和宽温度范围，该器件也广泛应用于汽车电子系统、工业自动化设备和通信设备中。

Si2301DS, BSS84, DMG2305UX, FDN306P