时间：2025/9/14 16:50:51
阅读：4
BSS84AKV,115 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件广泛应用于需要高效率、低导通电阻和紧凑封装的场合，例如电源管理、负载开关、电池供电设备和小型电机控制等。BSS84AKV,115采用小型SOT-223封装，具有良好的热性能和空间利用率，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和高密度PCB布局。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：-30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：-100mA
功耗(PD)：300mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-65°C ~ +150°C
封装类型：SOT-223
导通电阻(RDS(on))：最大值5Ω @ VGS = -10V
阈值电压(VGS(th))：-1.5V ~ -3.0V
BSS84AKV,115 具有多个显著的电气和物理特性，使其在众多应用中表现出色。首先，其P沟道结构允许在低电压条件下高效运行，适用于电池供电设备等对功耗敏感的应用。漏源电压（VDS）为-30V，栅源电压（VGS）为±20V，表明其具有良好的电压耐受能力，适用于多种电源管理场合。
其次，BSS84AKV,115 的导通电阻（RDS(on)）最大值为5Ω，当栅源电压为-10V时。较低的导通电阻意味着更低的功率损耗和更高的效率，这对于需要长时间运行的设备尤为重要。此外，其阈值电压（VGS(th)）范围为-1.5V至-3.0V，使得该器件可以在较宽的栅极驱动电压范围内稳定工作。
在封装方面，BSS84AKV,115 采用SOT-223封装形式，具有良好的热管理性能，能够有效散热并保持器件的稳定性。SOT-223是一种小型表面贴装封装，适用于高密度PCB设计，并支持自动化生产和焊接工艺。该器件的额定功耗为300mW，能够在较为苛刻的环境条件下正常运行。
最后，BSS84AKV,115 的工作温度范围为-55°C至+150°C，表明其适用于广泛的工业和商业环境。无论是高温工业设备还是低温户外应用，该MOSFET都能保持良好的电气性能和可靠性。
BSS84AKV,115 主要应用于需要低功耗、小尺寸和高效率的电子系统中。在电源管理方面，它可用于负载开关、DC-DC转换器和稳压器电路，以提高系统效率并减少能量损耗。由于其P沟道结构和低导通电阻，该器件在电池供电设备中尤为有用，如便携式仪表、无线传感器和小型手持设备。
在控制电路中，BSS84AKV,115 可用于驱动小型继电器、LED指示灯和低功率电机。其SOT-223封装形式不仅节省空间，还能提供良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
此外，该MOSFET还可用于通信设备中的信号切换和保护电路，如电源隔离和过流保护。其宽广的工作温度范围也使其适用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品等领域。
BSS84, BSS84LT1, BSS84P, BSS84H
