时间：2025/9/14 17:16:00
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BSS84AKMB,315 是一款由Nexperia（原飞利浦半导体部门）生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于低电压和中等功率的开关电路中。该器件采用小型SOT-223封装，具备良好的热性能和电气性能，适合用于负载开关、电源管理、电池供电设备等领域。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：-30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：-100mA @ -30V
导通电阻(Rds(on))：5.5Ω @ Vgs = -10V，1.2Ω @ Vgs = -4.5V
功率耗散(Pd)：1.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
BSS84AKMB,315具备多项优良的电气特性。其低导通电阻使得在低电压应用中能够有效降低功耗，提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在-4.5V至-20V之间正常工作，适用于多种控制电路的设计。此外，该MOSFET具有快速开关能力，能够适应高频开关应用场景，提升系统的响应速度。
BSS84AKMB,315采用SOT-223封装，具有良好的散热性能，能够在较高功率条件下稳定运行。该封装形式也便于表面贴装工艺（SMT）的实施，提高生产效率并节省PCB空间。同时，其高可靠性设计确保在严苛环境下仍能维持稳定的电气性能。
这款MOSFET具备较强的抗静电能力和过热保护特性，使其在实际应用中更加耐用和安全。因此，BSS84AKMB,315不仅适用于常规的电源开关控制，还能在需要频繁开关操作的场合中表现出色。
BSS84AKMB,315适用于多种电子设备和系统中的电源管理与开关控制应用。其典型应用包括电池供电设备中的负载开关、DC-DC转换器中的同步整流器、电机驱动电路、LED照明控制以及各类便携式电子产品中的电源管理模块。
在移动设备中，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，该MOSFET常用于控制不同功能模块的电源供应，实现高效的能耗管理。由于其响应速度快、功耗低，BSS84AKMB,315也非常适合用于高频开关电源和脉宽调制（PWM）控制电路中。
此外，该器件还可用于工业自动化控制系统、汽车电子模块、通信设备及传感器电路中，作为关键的功率开关元件。其良好的热稳定性和封装散热能力，使其在高温环境下也能可靠运行。
BSS84P, BSS84C, Si2301DS, FDN340P
