BSS8402DW-7-F 时间：2022/12/5 14:09:30 阅读：436

晶体管极性:N/P Channel

开态电阻, Rds(on):13.5ohm

阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V

工作温度范围:-55°C to +150°C

概述

晶体管极性:N/P Channel

开态电阻, Rds(on):13.5ohm

阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V

工作温度范围:-55°C to +150°C

封装类型:SOT-363

晶体管类型:Enhancement

表面安装器件:表面安装

电压 Vgs @ Rds on 测量:10V

电压, Vds 典型值:60V

电流, Id 连续:115mA

资料

厂商
Diodes Incorporated

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BSS8402DW-7-F参数

标准包装3,000
类别分离式半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
FET 型N 和 P 沟道
FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V，50V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C115mA，130mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C7.5 欧姆 @ 50mA，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs-
输入电容 (Ciss) @ Vds50pF @ 25V
功率 - 最大200mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装SOT-363
包装带卷 (TR)
其它名称BSS8402DW-FDITR