时间：2025/5/23 19:41:59
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BSS84-7-F是一种N沟道增强型小信号MOSFET晶体管，广泛用于各种电子电路中。它具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特性，非常适合用作开关或放大器件。该型号在设计上注重高频性能和小型化封装，适用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。
该器件采用SOT-23封装形式，体积小巧，便于表面贴装工艺使用。
最大漏源电压Vds：-50V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：-0.15A
脉冲漏极电流Idp：-0.4A
导通电阻Rds(on)：10Ω（典型值，Vgs=-4.5V）
总功耗Ptot：240mW
结温范围Tj：-55℃至+150℃
BSS84-7-F具备出色的电气特性和可靠性：
1. 极低的输入电容Ciss，使其适合高频应用。
2. 高开关速度支持快速响应时间。
3. 提供了非常低的反向传输电容Crss，有助于降低开关损耗。
4. 具备较强的抗静电能力（ESD），提高了其在敏感环境中的稳定性。
5. 良好的热稳定性和机械强度，保证长期工作的可靠性和一致性。
BSS84-7-F适用于多种场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 便携式电子设备中的负载开关。
3. 数据通信接口保护电路。
4. 音频信号处理及滤波器设计。
5. 各类逻辑电平兼容的数字电路驱动。
6. 继电器替代方案以减少机械部件使用。
BSS84, BSS138, FDN340P
