类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：-50V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-130mA
　　脉冲漏极电流（Id,脉冲）：-420mA
　　功耗（Pd）：200mW
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：-0.8V ~ -2.0V
　　静态漏源导通电阻（Rds(on)）：@ Vgs = -10V: 最大 3.5Ω；@ Vgs = -5V: 最大 5.5Ω
　　输入电容（Ciss）：@ Vds = -10V, Vgs = 0V: 典型值 27pF
　　反向传输电容（Crss）：@ Vds = -10V, Vgs = 0V: 典型值 6pF
　　输出电容（Coss）：@ Vds = -10V, Vgs = 0V: 典型值 35pF
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值 4ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值 10ns

BSS84-13-F作为一款高性能P沟道MOSFET，其核心优势体现在多个方面。首先，它具备较低的栅极阈值电压（Vgs(th)），通常在-0.8V至-2.0V之间，这意味着它可以轻松地被3.3V甚至更低的逻辑电平所驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。这一特性使其特别适用于现代低电压数字控制系统中的开关应用，如微控制器I/O扩展、电源域切换等场景。
　　其次，该器件在导通状态下表现出较低的漏源导通电阻（Rds(on)）。当施加-10V的栅源电压时，最大Rds(on)仅为3.5Ω，在-5V条件下也能保持在5.5Ω以下。这种低导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统的能效表现，尤其在电池供电设备中意义重大，可有效延长续航时间。此外，低Rds(on)还意味着在相同电流下产生的热量更少，有利于提升系统的热稳定性和长期运行的可靠性。
　　再者，BSS84-13-F采用了SOT-23小型表面贴装封装，尺寸紧凑，适合高密度PCB布局，满足现代电子产品对小型化和轻薄化的需求。该封装具有良好的散热性能，并兼容自动化贴片生产工艺，提高了生产效率和产品一致性。器件的输入电容（Ciss）仅为27pF左右，配合较小的反向传输电容（Crss）和输出电容（Coss），使其具备快速的开关响应能力，开关延迟时间短，适用于高频开关操作，能够有效降低开关损耗，提升动态性能。
　　最后，BSS84-13-F的工作结温范围覆盖-55°C到+150°C，具备优异的环境适应能力，可在严苛的工业环境中稳定运行。其±20V的栅源电压耐受能力提供了足够的安全裕度，防止因瞬态电压冲击导致的器件损坏。综合来看，BSS84-13-F以其低功耗、高可靠性、小封装和优良的电气特性，成为众多开关与控制应用的理想选择。

BSS84-13-F广泛应用于各类需要高效、小型化P沟道MOSFET的电子系统中。常见用途包括便携式电子设备中的电源开关控制，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电池供电管理模块，用于实现不同功能模块的上电与断电控制，以达到节能目的。在DC-DC转换器中，它可用于同步整流或高端开关配置，尤其是在低功率反激式或降压拓扑中作为辅助开关元件。
　　此外，该器件也常用于信号路径的模拟开关应用，如音频信号切换、传感器信号通断控制等，凭借其低导通电阻和高隔离度，能够保证信号完整性。在微控制器外围接口扩展中，BSS84-13-F可作为GPIO驱动增强器，用来控制较高电压负载的通断，实现电平转换与驱动能力提升。
　　工业控制领域中，BSS84-13-F适用于PLC模块、传感器供电控制、继电器驱动缓冲级等场景。由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，也可用于汽车电子中的非动力系统，如车内照明控制、信息娱乐系统电源管理等。总之，凡是需要一个可靠、小型、低功耗P沟道MOSFET进行开关控制的场合，BSS84-13-F都是一个极具竞争力的选择。

ZXM61P02FTA
　　FMMT718
　　MMBF5459
　　NSS84PT1G