时间：2025/8/16 18:11:18
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BSS84是一款P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用SOT-23封装形式，适用于低电压和低电流的开关应用。由于其小型封装和良好的性能，BSS84广泛应用于便携式电子设备、逻辑电路和电源管理电路中。
类型：P沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100mA
最大漏源电压（VDS）：-30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约3Ω（典型值）
功耗（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C至150°C
BSS84 P沟道MOSFET具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性。
其SOT-23封装提供了良好的热性能和空间效率，适用于高密度电路设计。
该器件能够在低电压条件下（如3.3V或5V）工作，适合用于数字逻辑电路的控制和低功耗应用。
此外，BSS84具备较高的抗静电能力，增强了在实际应用中的稳定性。
由于其小巧的封装形式，BSS84特别适合用于便携式设备如手机、平板电脑和穿戴式电子产品中。
该MOSFET的制造工艺成熟，具有良好的批次一致性，方便大规模生产与替换。
BSS84常用于以下应用场景：
1. 低压开关电路，如逻辑电平转换和电源管理。
2. 作为负载开关或信号开关，用于控制小型负载如LED和继电器。
3. 在电池供电设备中实现节能和延长电池寿命。
4. 用于数字控制系统中的隔离与驱动功能。
5. 模拟开关电路和低功耗放大器设计。
6. 适用于工业自动化设备和传感器模块的控制电路。
2N3906, BS270P, FDN340P, FDV303P, Si3442DS
