BSS84 PD 时间：2025/8/17 0:19:07 阅读：2

BSS84 PD是一款常用的P沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛用于电子开关、负载控制、电平转换以及电源管理等领域。该器件采用小型封装形式（通常为SOT23或SOT323），具有较高的可靠性与稳定性。BSS84 PD特别适用于低电压、中等电流的应用场合，能够以较小的输入驱动信号控制较大的负载电流。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：最大-100V
　　栅源电压(Vgs)：最大±20V
　　连续漏极电流(Id)：最大-130mA（在25°C）
　　功耗(Pd)：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为4Ω（在Vgs=-10V时）
　　封装类型：SOT23/SOT323

特性

BSS84 PD MOSFET具备一系列优良的电气特性。其P沟道结构使其能够在负电压下正常工作，适用于多种开关应用。该器件的导通电阻较低，在Vgs为-10V时仅为4Ω，有助于减少导通损耗并提高效率。此外，BSS84 PD的栅极驱动电压范围较宽，最大可达±20V，使其兼容多种控制电路。由于采用先进的硅栅技术，该MOSFET具有较高的开关速度和良好的热稳定性，适用于高频开关应用。
　　BSS84 PD还具备良好的温度特性，在-55°C至+150°C的宽温度范围内均可稳定工作，适合在恶劣环境中使用。SOT23封装形式不仅节省空间，还便于表面贴装工艺（SMT）的实施，提高了生产效率和产品可靠性。该器件的低漏电流特性也有助于减少静态功耗，提高系统能效。

应用

BSS84 PD MOSFET被广泛应用于各类电子设备中，特别是在需要小型化、高效能开关控制的场合。常见应用包括：负载开关控制、电源管理模块、LED驱动电路、电平转换电路、电池供电设备中的电源控制、继电器替代方案、H桥驱动电路中的高端开关等。在消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域，BSS84 PD都是一个非常受欢迎的选择。