BSS83PH6327XTSA1 是一款N沟道小信号MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件适用于低电压、低功耗应用场合,广泛用于开关和放大电路中。其小型化封装使其非常适合于空间受限的设计。BSS83 系列产品因其高可靠性、低导通电阻以及快速开关能力而备受青睐。
这款器件通常被用来实现负载开关、电源管理、信号切换等功能,同时它的低漏电流特性使其非常适配电池供电设备和其他对功耗敏感的应用场景。
最大 drain-source 电压(Vds):50V
最大 gate-source 电压(Vgs):±20V
最大持续 drain 电流(Id):0.15A
最低 Rds(on):150Ω
总功耗(Ptot):200mW
工作温度范围(Ta):-55℃ to 150℃
封装形式:SOT-323
BSS83PH6327XTSA1 具有以下显著特性:
1. 高击穿电压:支持高达50V的drain-source电压,适合多种低压应用场景。
2. 超低静态电流:在关断状态下具有极低的漏电流,有助于延长便携式设备的电池寿命。
3. 快速开关速度:由于其较低的输入电容,使得该器件能够实现高速开关操作。
4. 小型封装:采用 SOT-323 封装,节省 PCB 空间,便于设计紧凑型电路。
5. 宽工作温度范围:从 -55°C 到 +150°C 的宽泛工作温度范围,确保了器件在恶劣环境下的稳定性能。
6. 可靠性高:经过严格的质量控制流程制造,保证了长期使用的稳定性。
BSS83PH6327XTSA1 广泛应用于以下领域:
1. 消费电子:如手机、平板电脑等便携式设备中的电源管理。
2. 工业控制:用作信号切换或保护电路中的关键组件。
3. 计算机及外设:例如 USB 端口保护、热插拔控制等。
4. 通信设备:包括基站、路由器等中的负载开关功能。
5. 汽车电子:车内网络接口、传感器信号调节等方面。
6. 一般用途开关和放大:任何需要高性能小信号 MOSFET 的地方都可以使用该器件。
BSS84, BSS123, 2N7000