BSS81B 时间：2025/8/22 16:08:37 阅读：14

BSS81B是一款由Infineon Technologies制造的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高侧开关和负载开关等应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高开关性能，适合在电源管理、电池供电设备和工业控制系统中使用。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：-30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：-1.4A
　　导通电阻（Rds(on)）：280mΩ（典型值）
　　功率耗散：1.4W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-223

特性

BSS81B具有多项显著特性，使其在各种应用中表现出色。首先，其较低的导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗，提高能效。其次，该器件支持较高的栅极电压（±20V），具备良好的过压耐受能力，增强了系统的稳定性。此外，BSS81B采用SOT-223封装，体积小且散热性能良好，适合在空间受限的设计中使用。其高可靠性以及宽工作温度范围也使其适用于严苛环境下的工业和汽车应用。
　　该MOSFET还具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高整体系统效率。同时，其内置的体二极管可提供反向电压保护，适用于需要频繁切换的电路环境。此外，BSS81B的P沟道结构使其在高侧开关应用中无需额外的电荷泵电路，简化了驱动设计，降低了系统成本。