类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：SOT-23
　　漏源电压（Vds）：60 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：170 mA
　　脉冲漏极电流（Idm）：700 mA
　　功耗（Ptot）：350 mW
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 4.5 Ω（Vgs = 10 V）；最大值 6 Ω（Vgs = 10 V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值 1.2 V，范围 1.0 V 至 2.0 V
　　输入电容（Ciss）：约 28 pF
　　输出电容（Coss）：约 12 pF
　　反向传输电容（Crss）：约 4 pF
　　开启延迟时间（td(on)）：约 5 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约 15 ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

BSS76 N沟道MOSFET具备优异的开关特性和稳定的电气性能，特别适用于低功耗和空间受限的应用场景。其阈值电压较低，通常在1.0V至2.0V之间，这意味着它可以在3.3V甚至更低的逻辑电平下可靠地开启，非常适合与现代微控制器、FPGA或逻辑门电路直接接口，无需额外的驱动电路。这种低阈值特性不仅提高了系统的能效，还简化了电路设计，减少了外围元件数量。
　　该器件的导通电阻Rds(on)在Vgs=10V时典型值为4.5Ω，最大不超过6Ω，这一水平在同类小信号MOSFET中表现良好，有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体效率。同时，其漏源击穿电压高达60V，使其能够在中等电压环境下安全运行，适用于电池供电设备中的电压切换或负载控制。
　　BSS76的封装为SOT-23，这是一种非常常见的三引脚表面贴装封装，体积小巧，便于自动化贴片生产，并有利于提高PCB的布局密度。其热阻特性良好，结到环境的热阻约为350°C/W，结合350mW的最大功耗，可在正常环境温度下安全运行。此外，器件的输入、输出和反向传输电容均较小，分别为约28pF、12pF和4pF，这有助于减少开关过程中的动态损耗，并提升高频响应能力。
　　在可靠性方面，BSS76经过严格的制造工艺控制，具有良好的抗静电能力和长期稳定性。其工作结温范围可达+150°C，存储温度范围也为-55°C至+150°C，适应工业级应用需求。器件符合JEDEC标准的湿度敏感等级1（MSL1），无需干燥储存，便于生产和库存管理。此外，BSS76通常采用无铅材料和绿色封装技术，符合RoHS和REACH环保指令，适用于出口型电子产品和高环保要求的设计项目。

BSS76广泛应用于各类低功率电子系统中，作为开关或信号控制元件发挥关键作用。在便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，常用于电池供电路径的负载开关，实现对不同模块的上电和断电控制，从而达到节能目的。其低阈值电压和逻辑兼容性使其可以直接由处理器的GPIO引脚驱动，简化电源管理设计。
　　在LED指示灯或背光驱动电路中，BSS76可用于PWM调光控制，通过快速开关调节亮度。由于其开关速度快、延迟时间短，能够准确响应高频控制信号，确保灯光平滑变化且无闪烁现象。此外，在传感器信号切换或多路复用器电路中，BSS76可用于选择不同的输入通道，实现信号路由功能。
　　在通信接口电路中，BSS76可用于电平转换或总线隔离，例如I2C总线上的上拉控制，防止多个设备同时激活导致总线冲突。其低漏电流和高关断阻抗确保了信号完整性。工业控制系统中的继电器驱动、电磁阀控制或小功率执行器开关也常采用BSS76作为驱动级的前置开关，起到隔离和放大作用。
　　此外，BSS76还可用于DC-DC转换器中的同步整流或续流路径控制，尤其在低电流场合下替代肖特基二极管以降低压降和功耗。在测试测量仪器中，该器件可用于自动校准电路或量程切换开关。由于其高可靠性和宽温度范围，也适用于汽车电子中的非动力系统，如车内照明控制、信息娱乐系统电源管理等。

BSS76, BSS76Q, 2N7002, IRLML6344, FDN301N, ZVN2110A