时间：2025/5/21 10:36:01
阅读：5
BSS7002DW是一款双N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于需要低功耗和高效率的电路设计中。该器件封装，适合空间受限的应用场合。BSS7002DW具有较低的导通电阻和较高的开关速度，使其在信号切换、负载切换和功率管理等场景中表现出色。
这款双MOSFET内部集成了两个独立的N沟道MOSFET，可以显著减少PCB占用面积，并简化设计流程。其典型应用场景包括电池供电设备、便携式电子设备以及消费类电子产品中的电源管理模块。
最大漏源电压：15V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流（单个MOSFET）：0.4A
导通电阻（Rds(on)）：0.9Ω（典型值，Vgs=4.5V）
总功耗：120mW
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装类型：SOT-363
1. 双N沟道MOSFET集成设计，节省空间。
2. 超低导通电阻，降低功耗和发热。
3. 高开关速度，适用于高频应用环境。
4. 小型化SOT-363封装，适合紧凑型设计。
5. 工作温度范围广，适应多种极端条件。
6. 静态电流低，延长电池使用寿命。
7. 具备良好的电气性能稳定性，适合便携式设备。
1. 开关稳压器和DC-DC转换器中的开关元件。
2. 消费类电子产品的负载开关控制。
3. 手机和其他便携式设备中的电源管理模块。
4. 多路电源选择与保护电路。
5. 数据通信接口的ESD保护和信号切换。
6. 各种小型化、低功耗的嵌入式系统设计。
7. 热插拔和短路保护电路设计。
BSS138DW, BSS84PW
