类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：100mA
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：5Ω（最大值）
　　功率耗散（PD）：1W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

BSS64-NL的主要特性包括优异的导通性能、较低的导通电阻以及良好的热稳定性。这些特性使得该器件在各种电子设备中能够实现高效的能量转换和较低的功耗。此外，该MOSFET的封装形式SOT-223具有良好的散热性能，有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。
　　在设计方面，BSS64-NL采用了先进的制造工艺，确保了器件在高频工作条件下的稳定性和可靠性。其较高的最大漏源电压（VDS）和栅源电压（VGS）使其适用于多种电压条件下的电路设计。同时，该器件的低导通电阻特性能够有效降低电路中的能量损耗，从而提高整体效率。
　　在实际应用中，BSS64-NL表现出色，能够快速响应控制信号，实现精确的开关操作。这使得它在需要快速开关的电路设计中具有显著优势。

BSS64-NL的应用范围广泛，包括但不限于以下领域：
　　1. 电源管理：用于DC-DC转换器、稳压器等电源管理电路中，实现高效的能量转换。
　　2. 汽车电子：在汽车电子系统中，如车载充电器、电池管理系统等，提供可靠的开关控制。
　　3. 工业自动化：用于工业控制系统中的信号处理和功率控制，确保设备的高效运行。
　　4. 消费类电子产品：在智能手机、平板电脑等消费类电子产品中，作为功率开关或信号放大器使用。
　　5. 通信设备：在通信基站、网络设备中，用于高频信号的开关和放大。

BC847B, 2N3904, BSS84, 2N7002