类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：50 V
　　连续漏极电流（Id）：110 mA
　　脉冲漏极电流（Idm）：440 mA
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻（Rds(on)）：6.5 Ω（最大值，Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0 V ~ 2.5 V
　　输入电容（Ciss）：17 pF
　　输出电容（Coss）：8 pF
　　反向传输电容（Crss）：2.5 pF
　　工作温度范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：SOT-23

BSS52 N沟道MOSFET具备多项关键特性，使其在众多小信号开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）在典型工作条件下可低至6.5Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效，特别适用于对功耗敏感的电池供电设备。其次，该器件具有较低的栅极阈值电压（通常在1.0V至2.5V之间），允许其在3.3V甚至更低的逻辑电平下可靠导通，因此可以直接由微控制器、逻辑门电路或其他低压驱动器进行控制，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并减少了元件数量。
　　此外，BSS52采用了先进的沟槽型MOSFET工艺，优化了载流子迁移路径，提升了开关速度和频率响应能力。其输入、输出和反向传输电容均保持在较低水平（Ciss约17pF，Coss约8pF，Crss约2.5pF），有助于减少开关过程中的充放电时间，从而实现更快的上升和下降时间，适用于高频开关操作。这种快速响应能力在PWM调光、信号多路复用或高速数据切换等应用中尤为重要。
　　在可靠性方面，BSS52具备出色的热稳定性和长期工作耐久性。其最大结温可达+150°C，并且在宽温度范围内（-55°C至+150°C）保持稳定的电气特性，可在恶劣环境条件下正常运行。器件还具有较强的抗静电能力（ESD保护）和一定的过压承受能力，增强了在实际应用中的鲁棒性。SOT-23封装不仅体积小巧，便于自动化贴片生产，而且具有良好的散热性能，能够通过PCB有效传导热量，避免局部过热导致性能下降。总体而言，BSS52凭借其低功耗、高效率、易驱动和高可靠性的综合优势，在现代电子系统中扮演着重要角色。

BSS52广泛应用于各类需要小型化、低功耗开关功能的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源开关、LED驱动与调光控制、电池管理系统中的充放电通路控制以及信号路径切换等。在通信设备中，它可用于音频或数据信号的选择与隔离，作为模拟开关的一部分，实现通道切换功能。工业控制领域中，BSS52常用于传感器信号调理电路中的开关元件，或用于驱动继电器、蜂鸣器等小型负载的接口电路。此外，由于其良好的直流特性和快速响应能力，也适用于各种逻辑电平转换电路和微控制器I/O扩展驱动电路。在测试测量仪器和医疗电子设备中，BSS52因其高稳定性和低漏电流特性，被用于精密信号采样或多路复用系统中，确保信号完整性。得益于其SOT-23小尺寸封装，该器件非常适合高密度PCB布局，广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、智能家居控制器等空间受限的应用场景。同时，其符合RoHS标准的环保特性也满足现代电子产品对绿色制造的要求，适用于出口导向型产品设计。

BSS84
　　2N7002
　　FDS6670A
　　DMG2302U