类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：50V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：170mA @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：700mA
　　功耗（Ptot）：350mW
　　导通电阻（RDS(on)）：6.5Ω @ VGS = 10V
　　导通电阻（RDS(on)）：8.5Ω @ VGS = 5V
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：25pF @ VDS = 25V
　　输出电容（Coss）：14pF @ VDS = 25V
　　反向传输电容（Crss）：3.5pF @ VDS = 25V
　　栅极电荷（Qg）：4nC @ VDS = 25V
　　上升时间（tr）：7ns
　　下降时间（tf）：18ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

BSS45 N沟道MOSFET具备多项关键特性，使其在众多低功率开关应用中表现出色。首先，其漏源电压额定值为50V，能够在常见的低压电源系统中安全运行，适用于多种直流电源环境，包括电池供电设备和嵌入式控制系统。该器件的连续漏极电流可达170mA，在小尺寸封装下提供了足够的电流处理能力，满足大多数便携式电子产品的需求。更重要的是，BSS45在VGS=10V时的典型导通电阻仅为6.5Ω，而在VGS=5V时也保持在8.5Ω左右，这表明它能在较低的栅极驱动电压下实现较低的导通损耗，从而提高能效并减少发热问题。
　　其次，BSS45的阈值电压范围为1.0V至2.0V，这一低阈值特性使其非常适合由3.3V或5V逻辑电平直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了整体成本。这对于微控制器GPIO直接控制负载的应用尤为重要，例如LED驱动、继电器控制或传感器电源管理。此外，该器件的输入电容（Ciss）仅为25pF，输出电容（Coss）为14pF，较小的结电容意味着更快的开关速度和更低的驱动功率需求，有助于提升高频开关应用中的响应速度和效率。
　　再者，BSS45采用SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，特别适合智能手机、可穿戴设备和其他紧凑型电子产品。该封装还具备良好的散热性能，结合350mW的最大功耗能力，可在有限空间内实现可靠的热管理。器件的工作结温范围达到-55°C到+150°C，展现出卓越的环境适应性和长期运行稳定性，适用于工业级和汽车级应用场景。最后，BSS45符合RoHS指令要求，不含铅和其他有害物质，支持绿色电子制造。综合来看，这些特性共同构成了BSS45在低功率MOSFET市场中的竞争优势，使其成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

BSS45广泛应用于各类低功率电子系统中，尤其适合需要小型化、高效率和低成本解决方案的设计场景。一个典型的应用是作为负载开关，用于控制电池供电设备中不同模块的电源通断，如在移动设备中启用或禁用外设以节省能耗。由于其低阈值电压和低导通电阻特性，BSS45可以由微控制器的I/O引脚直接驱动，实现对LED、蜂鸣器、小型继电器或其他外围设备的精确控制，而无需复杂的驱动电路。
　　在DC-DC转换器电路中，BSS45可用于同步整流或低端开关配置，特别是在升压或降压拓扑中作为辅助开关元件，帮助提升转换效率并减小整体方案尺寸。此外，该器件也常用于信号路由和模拟开关应用，在音频或数据通道中实现信号路径的选择与隔离。由于其快速的开关响应时间和低寄生电容，BSS45在高频信号切换场合表现良好，能够有效减少信号失真和延迟。
　　在便携式消费电子产品如智能手表、无线耳机、健康监测设备中，BSS45因其SOT-23封装的小体积优势被广泛采用，有助于实现轻薄化设计。同时，工业控制系统中的传感器接口电路、电机驱动模块的逻辑级开关以及通信设备中的电源管理单元也都可能使用BSS45来完成电平转换或电源门控功能。另外，由于其良好的温度稳定性和可靠性，该器件也可用于汽车电子中的非动力系统，如车内照明控制或信息娱乐系统的电源管理部分。总之，BSS45凭借其多功能性和兼容性，已成为现代电子设计中实现高效、紧凑电源控制的理想选择之一。

BSS45W
　　BSS45S
　　BSS45LT1
　　BSS45BLT1
　　BSS45B