时间：2025/7/8 23:21:29
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BSS316NH6327是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用SOT-23封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能电源管理应用。其设计主要用于便携式设备、DC-DC转换器、负载开关以及需要低功耗的场景。
由于其小尺寸和优异的电气性能，BSS316NH6327在消费类电子产品中得到广泛应用。
最大漏源电压：40V
最大V
连续漏极电流：1.4A
导通电阻（典型值）：150mΩ
总电荷量（Qg）：8nC
栅极-漏极电荷量（Qgd）：2.5nC
工作温度范围：-55℃至+150℃
BSS316NH6327具有以下特点：
1. 低导通电阻有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 快速开关速度使其适合高频应用。
3. 小型SOT-23封装节省PCB空间。
4. 高可靠性和宽温度范围确保其在多种环境下的稳定运行。
5. 内部结构优化以提供更好的热性能。
6. 符合RoHS标准，环保且易于焊接。
这款MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 手机和其他便携式电子设备中的负载开关。
2. DC-DC转换器和降压/升压转换电路。
3. LED驱动器和小型电机控制。
4. 各种电池供电产品的电源管理部分。
5. 数据通信设备中的信号切换功能。
6. 其他要求紧凑设计和高效工作的场景。
BSS138,BSS84
