您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > BSS315P

BSS315P 发布时间 时间:2025/4/29 12:40:35 查看 阅读:7

BSS315P是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用小信号MOSFET设计,主要用于低电压、低功耗的开关和放大应用。BSS315P具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于便携式设备、消费电子以及工业控制等领域。
  该器件通常封装在SOT-23的小型封装中,便于在空间受限的应用场景中使用。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±10V
  最大漏极电流:-0.28A
  导通电阻:2.7Ω
  栅极电荷:2nC
  总电容:16pF
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

BSS315P具有以下主要特性:
  1. 高开关速度,能够快速响应输入信号的变化。
  2. 低导通电阻,减少功率损耗,提高效率。
  3. 小型SOT-23封装,适合紧凑型设计。
  4. 较宽的工作温度范围,能够在极端条件下稳定运行。
  5. 高可靠性,适用于各种电子电路应用。
  6. 静态功耗低,非常适合电池供电设备。

应用

BSS315P广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源和DC-DC转换器中的同步整流。
  2. 消费类电子产品中的负载开关。
  3. 电池管理系统的保护电路。
  4. 工业控制中的小型继电器替代方案。
  5. 通信设备中的信号切换。
  6. 便携式设备中的电源管理模块。

替代型号

BSS138, BSS84, 2N7000

BSS315P推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价