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BSS314PEH6327XTSA1 发布时间 时间:2025/7/7 12:12:22 查看 阅读:16

BSS314PEH6327XTSA1是一款N沟道增强型小信号MOSFET,采用SOT-23封装形式。该器件适用于多种低功率应用场合,具有较低的导通电阻和较高的开关速度。
  其主要功能是在电路中作为电子开关或放大器使用,广泛应用于消费类电子产品、通信设备以及工业控制等领域。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:0.53A
  导通电阻:1.8Ω
  总功耗:320mW
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

BSS314PEH6327XTSA1具备以下关键特性:
  1. 低导通电阻,在典型条件下可降低功耗并提高效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 高静电放电(ESD)防护能力,增强了器件在实际应用中的可靠性。
  4. 小型SOT-23封装,节省PCB空间且便于安装。
  5. 工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境下的运行需求。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

该MOSFET适用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电池供电设备中的负载开关。
  4. 各种便携式设备中的保护电路。
  5. 电机驱动与继电器驱动等小型驱动应用。
  6. 信号切换与逻辑电平转换。
  BSS314PEH6327XTSA1凭借其优异的性能表现,在这些应用中能够提供稳定可靠的工作状态。

替代型号

BSS314P, BSS314L, BSS138

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BSS314PEH6327XTSA1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥3.66000剪切带(CT)3,000 : ¥0.81889卷带(TR)
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)140 毫欧 @ 1.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 6.3μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)2.9 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)294 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)500mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-SOT23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3