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BSS308PEH6327XTSA1 发布时间 时间:2025/5/27 10:48:32 查看 阅读:8

BSS308PEH6327XTSA1 是一款基于 MOSFET 技术的小型表面贴装晶体管,属于 N 沟道增强型场效应晶体管。该器件通常用于高频开关电路、负载开关、电源管理以及信号调节等场景。其设计注重低导通电阻和快速开关性能,适用于对效率和速度要求较高的应用环境。
  BSS308PEH6327XTSA1 采用超小型封装(如 SOT-23 或更小尺寸),非常适合便携式设备和其他空间受限的设计。由于其高击穿电压和低漏电流特性,该晶体管能够在广泛的电压范围内稳定运行。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  封装:SOT-23
  Vds(漏源极间电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):0.45Ω
  Id(连续漏极电流):1.1A
  Vgs(th)(栅极开启电压):1V~2.5V
  fT(截止频率):170MHz
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

BSS308PEH6327XTSA1 的主要特点是低导通电阻和高开关速度。在典型的工作条件下,它的 Rds(on) 值非常低,能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
  此外,该器件的 Vgs(th) 范围较宽,使其更容易与不同的驱动器电路兼容。同时,其小型化的封装使得它特别适合需要节省空间的应用场合。
  这款晶体管还具有良好的热稳定性和可靠性,在极端温度环境下也能保持稳定的性能表现。这使得 BSS308PEH6327XTSA1 成为工业控制、消费电子和汽车电子等领域中不可或缺的关键元件。

应用

BSS308PEH6327XTSA1 广泛应用于以下领域:
  1. 手机、平板电脑等便携式设备中的负载开关
  2. 各类 DC-DC 转换器及稳压电路中的开关元件
  3. 音频放大器、LED 驱动器中的信号调节功能
  4. 数据通信接口保护及短路保护
  5. 小功率电机驱动和电磁阀控制
  6. 汽车电子中的电池管理系统(BMS)及辅助电路
  其紧凑的外形和高效性能使其成为现代电子产品设计的理想选择。

替代型号

BSS138, PMN06XP-E, SI2302DS

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BSS308PEH6327XTSA1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥3.82000剪切带(CT)3,000 : ¥1.08394卷带(TR)
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)80 毫欧 @ 2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 11μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)500 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)500mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-SOT23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3