BSS306N 时间：2025/7/12 16:45:27 阅读：13

BSS306N是一种N沟道增强型小信号MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它通常用于需要低功耗、快速开关和高效率的电子电路中。该器件具有低导通电阻和良好的开关性能，适用于便携式设备、电源管理模块以及各种控制电路中的开关应用。
　　BSS306N封装形式为SOT-23，这种小型封装非常适合空间受限的应用场景，同时具备优良的散热性能。

参数

最大漏源电压：40V
　　最大栅源电压：±10V
　　最大漏极电流：180mA
　　导通电阻：5Ω
　　总功耗：360mW
　　工作温度范围：-55℃至150℃

特性

1. N沟道增强型MOSFET设计，提供高效的开关性能。
　　2. 极低的导通电阻确保在导通状态下产生的功率损耗最小化。
　　3. 小巧的SOT-23封装，节省PCB空间。
　　4. 工作温度范围宽广，适应多种环境条件下的使用需求。
　　5. 高速开关能力使其适合于高频应用环境。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅材料制造。

应用

BSS306N广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源(SMPS)中的初级或次级侧开关。
　　2. 各类负载开关，如USB端口保护、电池供电设备的电源管理。
　　3. 信号电平转换和逻辑电路驱动。
　　4. 继电器替代方案，减少机械部件使用。
　　5. 消费类电子产品，例如手机充电器、笔记本电脑适配器等。
　　6.与驱动部分。