时间：2025/12/18 11:40:43
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BSS215P是一种N沟道小信号MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于低电压和低功耗的场景中。该器件具有极低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于负载开关、电平转换以及便携式电子设备中的电源管理应用。
BSS215P采用SOT-363（SC-89）小型封装，有助于节省PCB空间，适用于对体积敏感的设计。由于其低栅极电荷和低输入电容特性，该器件非常适合驱动能力有限的控制电路。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：0.4A
脉冲漏极电流：1.2A
导通电阻（Rds(on)）：2.7Ω（在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：2nC
输入电容：35pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
BSS215P的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功率损耗。
2. 小型化封装（SOT-363），适合紧凑型设计。
3. 快速开关特性，确保高效能表现。
4. 较宽的工作温度范围，适应各种环境条件。
5. 高静电防护能力，增强器件的可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子产品的要求。
BSS215P通常被用于以下应用领域：
1. 负载开关：如移动设备、便携式电子产品中的电源通断控制。
2. 电平转换：用于不同电压逻辑电平之间的信号转换。
3. 保护电路：例如过流保护、短路保护等。
4. 开关电源中的同步整流。
5. 电池供电设备中的电源管理。
6. 数据通信接口的开关控制。
BSS123, BSS84, PMV18UNL
