时间：2025/5/20 9:25:00
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BSS214N H6327是一款高性能的MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、信号放大等领域。该型号属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高频功率转换电路。
该器件采用SOT-23封装形式，体积小巧，适合在空间受限的设计中使用。其优异的电气性能和可靠性使其成为众多电子产品设计中的理想选择。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：1A
导通电阻：1.8Ω
栅极电荷：5nC
开关时间：ton=12ns, toff=9ns
1. BSS214N H6327具备非常低的导通电阻，在高频率应用中可以显著降低功耗。
2. 由于其快速的开关速度，这款MOSFET非常适合用于高频DC-DC转换器和其他高速切换电路。
3. 具有较高的电流处理能力，即使在较为苛刻的工作条件下也能保持稳定运行。
4. 封装紧凑，便于在小型化设备中集成，并且易于焊接和安装。
5. 高可靠性和长寿命，能够在较宽的工作温度范围内正常工作，适应各种复杂环境。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电池充电管理电路
3. 电机驱动与控制
4. 负载开关
5. 信号调节与放大
6. 各种便携式电子设备中的功率管理模块
BSS138, BSS84, 2N7000
